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参数资料
| 型号： | PIIPM25P12B008X |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 6/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR MODULE PROG ISO 25A 1200V |
| 标准包装： | 1 |
| 模块/板类型： | 编程器模块 |
| 适用于相关产品： | 伺服电机 |
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PIIPM25P12B008
I27147 02 - Oct
Electrical Characteristics: Inverter
For proper operation the device should be used within the recommended conditions.
T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter Definition
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Fig.
V (BR)CES
? V (BR)CES / ? T
Collector To Emitter Breakdown Voltage
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
1200
+1.2
2.28
2.56
V
V/oC
V GE = 0V, I C = 250 μ A
V GE = 0V, I C = 1mA (25 - 125 oC)
I C = 25A, V GE = 15V
5, 6
V CE(on)
Collector To Emitter Saturation Voltage
3.2
3.65
V
I C = 50A, V GE = 15V
7, 9
2.74
3.10
I C = 25A, V GE = 15V, T J = 125 oC
10, 11
V GE(th)
? V GE(th) / ? Tj
g fe
Gate Threshold Voltage
Temp. Coeff. of Threshold Voltage
Forward Trasconductance
4.0
14.8
5.0
-1.2
16.9
6.0
19.0
V
mV/oC
S
V CE = V GE , I C = 250 μ A
V CE = V GE , I C = 1mA (25 - 125 oC)
V CE = 50V, I C = 25A, PW = 80 μ s
12
250
V GE = 0V, V CE = 1200V
I CES
Zero Gate Voltage Collector Current
325
675
μ A
V GE = 0V, V CE = 1200V, T J = 125 oC
2000
V GE = 0V, V CE = 1200V, T J = 150 oC
V FM
I RM
I GES
R1/2/3
Rsh
Diode Forward Voltage Drop
Diode Reverse Leakage Current
Gate To Emitter Leakage Current
Sensing Resistors
DC bus minus series shunt resistor
3.96
3.96
1.76
1.87
4
4
2.06
2.18
20
±100
4.04
4.04
V
μ A
nA
m ?
I C = 25A
I C = 25A, T J = 125 oC
V R = 1200V, T J = 25 oC
V GE =± 20V
8
8
www.irf.com
6
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