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参数资料
| 型号： | PM45502C |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
| 中文描述： | 硅N沟道功率MOS场效应晶体管模块 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | PM45502C |
PM45502C
5
10
820
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
8
2
412
16
0
4
6
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
50 A
ID = 25 A
Pulse Test
75 A
0.5
10
200
Drain Current ID (A)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
0.2
0.01
5
20
100
2
0.05
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.02
0.005
50
VGS = 10 V
Pulse Test
15 V
0.20
40
160
Case Temperature TC (°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
0.16
0.04
0
80
120
0
0.08
0.12
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
ID = 25 A
VGS = 10 V
Pulse Test
50 A
–40
75 A
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