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参数资料
| 型号： | PM45502C |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
| 中文描述： | 硅N沟道功率MOS场效应晶体管模块 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | PM45502C |
PM45502C
8
D = 1
TC = 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
PW
PDM
D =
T
PW
θch–c (t) = γ
S (t) θch–c
θch–c = 0.416°C/W, T
C = 25°C
1 Shot Pulse
3
Pulse Width PW (s)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
1.0
0.1
0.3
10
0.03
0.01
100
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
RL
VDD
30 V
=
.
Waveforms
Vin
Vout
td (on)
10%
t r
t f
10%
90%
10%
90%
td (off)
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