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参数资料
型号： PMBD7100,215
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 5/10页
文件大小： 129K
描述： DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23
标准包装： 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 2.5µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： 215mA（DC）
电压 - (Vr)（最大）： 100V
反向恢复时间(trr)： 4ns
二极管类型： 标准
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
二极管配置： 1 对共阴极
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： SOT-23-3
包装： 标准包装
其它名称： 568-6476-6
2003 Nov 07 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD7100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
715
mV
IF
=
10
mA
855
mV
IF
=
50
mA
1
V
IF
=
150
mA
1.25
V
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
25
V
30
nA
VR
=
100
V
2.5
μA
VR
=
25
V; Tj
=
150
°C
60
μA
VR
=
100
V; Tj
=
150
°C
100
μA
Cd
diode capacitance
VR
=
0
V; f
=
1
MHz; see
Fig.6
1.5
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?; measured at
IR
=
1
mA; see
Fig.7
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA to tr
=
20
nA;
1.75
see
Fig.8
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
360
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
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