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参数资料
型号： PMBD7100,215
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 6/10页
文件大小： 129K
描述： DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23
标准包装： 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 2.5µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： 215mA（DC）
电压 - (Vr)（最大）： 100V
反向恢复时间(trr)： 4ns
二极管类型： 标准
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
二极管配置： 1 对共阴极
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： SOT-23-3
包装： 标准包装
其它名称： 568-6476-6
2003 Nov 07 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD7100
GRAPHICAL DATA
0
0 200100
T ( C)amb
o
300
100
200
MBD033
I
F
(mA)
single diode loaded
double diode loaded
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpageI
300
F
0
0 0.5 1.0 2.01.5
VF
(V)
100
200
MDB820
250
150
50
(mA)
(1) (2) (3)
(1) Tj
= 150
°C; typical values.
(2) Tj
= 25
°C; typical values.
(3) Tj
= 25
°C; maximum values.
Fig.3 Forward current as a function of
forward voltage.
2
handbook, full pagewidth10
MBG704
10
tp
(
μs)
1
IFSM
(A)
10?1
104
102
103
10
1
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj
= 25
°C prior to surge.
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