型号: | PMBFJ111 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PMBFJ111 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PMBFJ111,215 | 功能描述:JFET JFET N-CH 40V 35mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
PMBFJ111215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:JFET RF N CH 300MW SOT-23- |
PMBFJ111T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 20MA I(DSS) | TO-236 |
PMBFJ112 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:3V; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SOT-23; No.;RoHS Compliant: Yes |
PMBFJ112 T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |