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参数资料
| 型号： | PMBTA43 |
| 英文描述： | NPN high-voltage transistors |
| 中文描述： | NPN高压型晶体管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | PMBTA43 |
1997 Jul 02
4
Philips Semiconductors
Product specication
NPN high-voltage transistors
PMBTA42; PMBTA43
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
PMBTA42
IE = 0; VCB = 200 V
100
nA
PMBTA43
IE = 0; VCB = 160 V
100
nA
IEBO
emitter cut-off current
PMBTA42
IC = 0; VEB =6V
100
nA
PMBTA43
IC = 0; VEB =4V
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =10V
IC =1mA
25
IC =10mA
40
IC =30mA
40
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 20 mA; IB =2mA
500
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 20 mA; IB =2mA
900
mV
Cre
feedback capacitance
IC =ic = 0; VCB = 20 V; f = 1 MHz
PMBTA42
3pF
PMBTA43
4pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 20 V; f = 100 MHz
50
MHz
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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