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参数资料
| 型号： | PMEG1030EJ,135 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, 10 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-90, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | PMEG1030EJ,135 |
1.
Product profile
1.1 General description
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with an
integrated guard ring for stress protection encapsulated in small SMD plastic packages.
1.2 Features
Forward current: 3 A
Reverse voltage: 10 V
Ultra low forward voltage
Small and flat lead SMD package
1.3 Applications
Low voltage rectification
High efficiency DC-to-DC conversion
Switched-mode power supply
Inverse polarity protection
Low power consumption applications
1.4 Quick reference data
[1]
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤ 0.02.
PMEG1030EH; PMEG1030EJ
10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
Rev. 04 — 15 January 2010
Product data sheet
Table 1.
Product overview
Type number
Package
Configuration
NXP
JEITA
PMEG1030EH
SOD123F
-
single isolated diodes
PMEG1030EJ
SOD323F
SC-90
single isolated diodes
Table 2.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF
forward current
Tsp ≤ 55 °C
--3
A
VR
reverse voltage
-
10
V
VF
forward voltage
IF =3A
[1] -
390
530
mV
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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