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参数资料
| 型号： | PMEG1030EJ,135 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, 10 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-90, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | PMEG1030EJ,135 |
PMEG1030EH_EJ_4
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 15 January 2010
3 of 9
NXP Semiconductors
PMEG1030EH; PMEG1030EJ
10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse
power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse
power losses PR and IF(AV) rating will be available on request.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
Table 6.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
reverse voltage
-
10
V
IF
forward current
Tsp ≤ 55 °C-
3
A
IFRM
repetitive peak forward
current
tp ≤ 1 ms; δ≤ 0.25
-
5.5
A
IFSM
non-repetitive peak forward
current
t = 8 ms; square
wave
[1] -9
A
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
PMEG1030EH
[1] -
375
mW
[2] -
830
mW
PMEG1030EJ
[1] -
360
mW
[2] -
830
mW
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Table 7.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
PMEG1030EH
[1][2] --
330
K/W
[2][3] --
150
K/W
PMEG1030EJ
[1][2] --
350
K/W
[2][3] --
150
K/W
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
PMEG1030EH
-
60
K/W
PMEG1030EJ
-
55
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMNF2-5F-C | 2.5 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, FORK TERMINAL |
| PMSS-02-16-HP-03.00-D-LDX | 2 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR |
| PMSS-02-16-HP-03.00-D-LUX | 2 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR |
| PMSS-02-16-SP-03.00-D-LDX | 2 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR |
| PMSS-02-16-SP-03.00-D-LUX | 2 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG1201AESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停產 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:12V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:200mV @ 30mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2.2ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 12V 不同?Vr，F 时的电容:26pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:1 |
| PMEG2002AESF,315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMEG2002AESF/SOD962/REELP2// - Tape and Reel |
| PMEG2002AESFBYL | 功能描述:DIODE SCHTKY 20V 200MA DSN0603B2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:375mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.9ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:45μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603B-2 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:1 |
| PMEG2002ESF,315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMEG2002ESF/SOD962/REELP2// - Tape and Reel |
| PMEG2005AEA | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, SOD-323 |
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