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参数资料
| 型号： | PMEG1030EJ,135 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, 10 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-90, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | PMEG1030EJ,135 |
PMEG1030EH_EJ_4
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 15 January 2010
4 of 9
NXP Semiconductors
PMEG1030EH; PMEG1030EJ
10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤ 0.02.
Table 8.
Characteristics
Tamb =25 °C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
IF = 0.01 A
-
100
130
mV
IF = 0.1 A
-
170
200
mV
IF = 1 A
-
280
350
mV
IF = 3 A
-
390
530
mV
IR
reverse current
VR = 5 V
-
0.55
2
mA
VR =8V
-
0.8
2.5
mA
VR =10V
-
1
3
mA
Cd
diode capacitance
VR =1V; f = 1MHz
-
70
85
pF
(1) Tamb = 125 °C
(2) Tamb =85 °C
(3) Tamb =25 °C
(4) Tamb = 40 °C
(1) Tamb = 125 °C
(2) Tamb =85 °C
(3) Tamb =25 °C
(4) Tamb = 40 °C
Fig 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
006aaa290
10
1
103
102
104
IF
(mA)
101
VF (V)
0
0.4
0.5
0.3
0.1
0.2
(1)
(3)
(4)
(2)
006aaa291
103
10
102
105
104
106
IR
(
μA)
1
VR (V)
010
8
46
2
(1)
(2)
(3)
(4)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PMEG2002ESF,315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMEG2002ESF/SOD962/REELP2// - Tape and Reel |
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