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参数资料
| 型号： | PMEG1030EJ,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 105K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 10V 3A SOD323F |
| 产品目录绘图： | SOD-323 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 530mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3mA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 85pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | SOD-323F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1509 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4108-6 |
               PMEG1030EH_EJ_4 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 15 January 2010 4 of 9 NXP Semiconductors PMEG1030EH; PMEG1030EJ 10 V, 3 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. Table 8. Characteristics Tamb =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] IF = 0.01 A - 100 130 mV IF = 0.1 A - 170 200 mV IF = 1 A - 280 350 mV IF = 3 A - 390 530 mV IR reverse current VR = 5 V - 0.55 2 mA VR =8V - 0.8 2.5 mA VR =10V - 1 3 mA Cd diode capacitance VR =1V; f=1MHz - 70 85 pF (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb =85°C (3) Tamb =25°C (4) Tamb = ?40 °C (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb =85°C (3) Tamb =25°C (4) Tamb = ?40 °C Fig 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values Fig 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values 006aaa290 10 1 103 102 104 IF ) (mA 10?1 VF (V) 0 0.40.1 0.2 0.3 0.5 (1) (3) (4) (2) 006aaa291 103 10 102 105 104 106 IR (μA) 1 VR (V) 0102 468 (1) (2) (3) (4) |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PMEG2002ESF,315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMEG2002ESF/SOD962/REELP2// - Tape and Reel |
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