参数资料
型号: PMEG1030EJ,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/9页
文件大小: 105K
描述: SCHOTTKY RECT 10V 3A SOD323F
产品目录绘图: SOD-323 Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 10V
电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 530mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 3mA @ 10V
电容@ Vr, F: 85pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商设备封装: SOD-323F
包装: 标准包装
产品目录页面: 1509 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-4108-6
PMEG1030EH_EJ_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 15 January 2010 5 of 9
NXP Semiconductors
PMEG1030EH; PMEG1030EJ
10 V, 3 A ultra low VF
MEGA Schottky barrier rectifiers
8. Package outline
9. Packing information
[1] For further information and the availability of packing methods, see Section 13.
Tamb
=25°C; f = 1 MHz
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
VR
(V)
0102
468
006aaa292
70
90
50
110
130
Cd
(pF)
30
Fig 4. Package outline SOD123F Fig 5. Package outline SOD323F (SC-90)
04-11-29
Dimensions in mm
1.2
1.0
0.25
0.10
3.6
3.4
2.7
2.5
0.55
0.35
0.70
0.55
1.7
1.5
1
2
04-09-13
Dimensions in mm
0.80
0.65
0.25
0.10
0.5
0.3
2.7
2.3
1.8
1.6
0.40
0.25
1.35
1.15
1
2
Table 9. Packing methods
The -xxx numbers are the last three digits of the 12NC ordering code.[1]
Type number
Package
Description
Packing quantity
3000
10000
PMEG1030EH SOD123F 4 mm pitch, 8 mm tape and reel -115 -135
PMEG1030EJ SOD323F 4 mm pitch, 8 mm tape and reel -115 -135
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