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参数资料
| 型号： | PMEG2010AEH,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 70K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD123F |
| 产品目录绘图： | SOD-123F Pin Out SOD-123F Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 70pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | SOD-123F |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG2010AEH_PMEG2010AET_3 ? NXP B.V. 2007. All rights reserved. Product data sheet Rev. 03 — 28 March 2007 3 of 11 NXP Semiconductors PMEG2010AEH; PMEG2010AET 1 A very low VF MEGA Schottky barrier recti?ers 5. Limiting values [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. 6. Thermal characteristics [1] For Schottky barrier diodes thermal runaway has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a signi?cant part of the total power losses. [2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. [4] Soldering point of cathode tab. Table 6. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage - 20 V IF forward current Tsp ≤ 55 °C-1A IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 ms; δ≤0.25 PMEG2010AEH - 7 A PMEG2010AET - 6 A IFSM non-repetitive peak forward current square wave; tp =8ms -9A Ptot total power dissipation Tamb ≤25 °C PMEG2010AEH [1] - 375 mW [2] - 830 mW PMEG2010AET [1] - 280 mW [2] - 420 mW Tj junction temperature - 150 °C Tamb ambient temperature ?65 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C Table 7. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1] PMEG2010AEH [2] - - 330 K/W [3] - - 150 K/W PMEG2010AET [2] - - 440 K/W [3] - - 300 K/W Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point [4] PMEG2010AEH - - 60 K/W PMEG2010AET - - 120 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG2010AEJ,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD323F |
| PMEG2010AEK,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SC-59A |
| PMEG2010EJ,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD323F |
| PMEG2010EPA,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOT1061 |
| PMEG2010EV,115 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG2010AEJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 20V 1A,PMEG2010AEJ |
| PMEG2010AEJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 20V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG2010AEJ115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD323F |
| PMEG2010AEK | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
| PMEG2010AEK T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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