参数资料
型号: PMEG2010EV,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 1/7页
文件大小: 100K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666
标准包装: 4,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 15V
电容@ Vr, F: 25pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 带卷 (TR)
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2002 Jun 24
2003 Aug 20
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PMEG2010EV
Low VF
MEGA Schottky barrier
diode
M3D744
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PDF描述
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PMEG2015EA/DG,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel
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