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参数资料
| 型号： | PMEG2015EA,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 103K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD323 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1.5A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 660mV @ 1.5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 15V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6826-6 |
    2004 Feb 03 3 NXP Semiconductors Product data sheet Low VF (MEGA) Schottky barrier diode PMEG2015EA CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified. Note 1. Pulse test: tp = 300 μs; δ = 0.02. THERMAL CHARACTERISTICS Notes 1. Refer to SC-76 (SOD323) standard mounting conditions. 2. Device mounted on a printed-circuit board with copper clad 10 x 10 mm. 3. Soldering point of cathode tab. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VF continuous forward voltage see Fig.2; note 1 IF = 10 mA 240 270 mV IF = 100 mA 300 350 mV IF = 1000 mA 480 550 mV IF = 1500 mA 560 660 mV IR continuous reverse current see Fig.3; note 1 VR = 5 V 5 10 μA VR = 8 V 7 20 μA VR = 15 V 10 50 μA Cd diode capacitance VR = 5 V; f = 1 MHz; see Fig.4 19 25 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient note 1 450 K/W note 2 210 K/W Rth(j-s) thermal resistance from junction to solder point note 3 90 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PMEG2015EH115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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