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参数资料
| 型号： | PMEG3010ER,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 90K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 360mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.5mA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6513-6 |
 PMEG3010ER_1 ? NXP B.V. 2008. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 29 December 2008 6 of 13 NXP Semiconductors PMEG3010ER 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er (1) Tj = 150 °C (2) Tj = 125 °C (3) Tj =85°C (4) Tj=25°C (5) Tj=?40°C (1) Tj= 125°C (2) Tj=85°C (3) Tj=25°C (4) Tj=?40°C Fig 4. Forward current as a function of forward voltage; typical values Fig 5. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values f = 1 MHz; Tamb=25°C Fig 6. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values 006aab275 10?2 10?3 1 10?1 10 IF (A) 10?4 VF (V) 0 0.80.2 0.4 0.6 (1) (2) (3) (4) (5) 006aab276 VR (V) 03010 20 1 (A) 10?1 10?2 10?3 10?4 10?5 10?6 IR 10?7 (1) (2) (3) (4) VR (V) 03010 20 006aab277 350 Cd (pF) 0 50 100 150 200 250 300 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010ET | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOT-23 |
| PMEG3010ET,215 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010ET215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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| PMEG3015EH T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1.5A 2-Pin SOD-123F T/R |
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