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参数资料
| 型号： | PMEG3010ER,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 90K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 360mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.5mA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6513-6 |
 PMEG3010ER_1 ? NXP B.V. 2008. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 29 December 2008 4 of 13 NXP Semiconductors PMEG3010ER 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er FR4 PCB, standard footprint Fig 1. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2 Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values 006aab272 10 1 102 103 Zth(j-a) (K/W) 10?1 ?3 tp (s) 10 102 103 10 1 10?2 10?1 duty cycle = 1 0.75 0.5 0.33 0.25 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0 006aab273 10 1 102 103 Zth(j-a) (K/W) 10?1 ?3 tp (s) 10 102 103 10 1 10?2 10?1 duty cycle = 0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.25 0.5 0.33 0.75 1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010ET | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOT-23 |
| PMEG3010ET,215 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010ET215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PMEG3015EH | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.5A 30V 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, 1.5A, 30V 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1.5A,PMEG3015EH |
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