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参数资料
型号： PMEG4010ET,215
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 5/11页
文件大小： 78K
描述： SCHOTTKY RECT 40V 1A SOT-23
产品目录绘图： SOT-23 Circuit
标准包装： 3,000
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 40V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 640mV @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 100µA @ 40V
电容@ Vr, F： 50pF @ 1V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： TO-236AB
包装： 带卷 (TR)
其它名称： PMEG4010ET215-CHP
PMEG4010EH_EJ_ET_4
? NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 21 March 2007 3 of 11
NXP Semiconductors
PMEG4010EH/EJ/ET
1 A very low VF
MEGA Schottky barrier recti?ers
5. Limiting values
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
[3] Re?ow soldering is the only recommended soldering method.
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
reverse voltage - 40 V
IF
forward current Tsp
≤
55
°C-1A
IFRM
repetitive peak forward
current
tp
≤
1 ms;
δ≤0.25
PMEG4010EH - 7 A
PMEG4010EJ - 7 A
PMEG4010ET - 5 A
IFSM
non-repetitive peak forward
current
square wave;
tp
=8ms
-9A
Ptot
total power dissipation Tamb
≤25
°C
PMEG4010EH
[1][3]
- 375 mW
[2][3]
- 830 mW
PMEG4010EJ
[1][3]
- 350 mW
[2][3]
- 830 mW
PMEG4010ET
[1]
- 280 mW
[2]
- 420 mW
Tj
junction temperature - 150
°C
Tamb
ambient temperature
?65 +150
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
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