参数资料
型号: PMEG6002EJ,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 10/13页
文件大小: 97K
描述: SCHOTTKY RECT 60V 200MA SOD-323F
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 60V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 5ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 60V
电容@ Vr, F: 14pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商设备封装: SOD-323F
包装: 标准包装
其它名称: 568-6526-6
PMEG6002EJ_1
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 15 May 2009 6 of 13
NXP Semiconductors
PMEG6002EJ
200 mA low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
(1) Tj
= 150
°C
(2) Tj
= 125
°C
(3) Tj
=85°C
(4) Tj=25°C
(5) Tj=?40°C
(1) Tj= 125°C
(2) Tj=85°C
(3) Tj=25°C
(4) Tj=?40°C
Fig 4. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 5. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
f = 1 MHz; Tamb=25°C
Fig 6. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
006aab479
VF
(V)
0 0.60.2
0.4
10?3
10?2
10?1
1
IF
(A)
10?4
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
006aab480
VR
(V)
06020
40
10?2
IR
(A)
10?3
10?4
10?5
10?6
10?7
10?8
10?9
(1)
(2)
(3)
(4)
VR
(V)
06020
40
006aab481
10
20
30
Cd
(pF)
0
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