参数资料
型号: PMEG6002EJ,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 12/13页
文件大小: 97K
描述: SCHOTTKY RECT 60V 200MA SOD-323F
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 60V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 5ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 60V
电容@ Vr, F: 14pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商设备封装: SOD-323F
包装: 标准包装
其它名称: 568-6526-6
PMEG6002EJ_1
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 15 May 2009 8 of 13
NXP Semiconductors
PMEG6002EJ
200 mA low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
8. Test information
Ceramic PCB, Al2O3, standard footprint
Tj
= 150
°C
(1)
δ
= 1; DC
(2)
δ
= 0.5; f = 20 kHz
(3)
δ
= 0.2; f = 20 kHz
(4)
δ
= 0.1; f = 20 kHz
Tj
= 150
°C
(1)
δ
= 1; DC
(2)
δ
= 0.5; f = 20 kHz
(3)
δ
= 0.2; f = 20 kHz
(4)
δ
= 0.1; f = 20 kHz
Fig 11. Average forward current as a function of
ambient temperature; typical values
Fig 12. Average forward current as a function of
solder point temperature; typical values
Tamb
(
°C)
0 50 100 150 17525
75
125
006aab486
0.1
0.2
0.3
IF(AV)
(A)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
Tsp
(
°C)
0 50 100 150 17525
75
125
006aab487
0.1
0.2
0.3
IF(AV)
(A)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
(1) IR
=1mA
Input signal: reverse pulse rise time tr
= 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp
= 100 ns; duty cycle
δ
= 0.05
Oscilloscope: rise time tr
= 0.35 ns
Fig 13. Reverse recovery time test circuit and waveforms
trr
(1)
+
I
F
t
output signal
tr
tp
t
10 %
90 %
VR
input signal
V = VR +
IF ′
RS
RS = 50 W
IF
D.U.T.
Ri
= 50
W
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
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