参数资料
型号: PMEG6020ER,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 7/14页
文件大小: 150K
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 60V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 530mV @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150µA @ 60V
电容@ Vr, F: 240pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123W
供应商设备封装: SOD123W
包装: 标准包装
其它名称: 568-6529-6
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Product data sheet Rev. 01 — 3 March 2010 2 of 14
NXP Semiconductors
PMEG6020ER
2 A low VF
MEGA Schottky barrier rectifier
2. Pinning information
[1] The marking bar indicates the cathode.
3. Ordering information
4. Marking
5. Limiting values
Table 2. Pinning
Pin
Description
Simplified outline
Graphic symbol
1 cathode
[1]
2 anode
2
1
sym001
12
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PMEG6020ER - plastic surface-mounted package; 2 leads SOD123W
Table 4. Marking codes
Type number
Marking code
PMEG6020ER BC
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
reverse voltage Tj
=25°C-60V
IF(AV)
average forward current square wave;
δ
= 0.5;
f=20kHz
Tamb
75
°C
[1]
-2A
Tsp
135
°C-2A
IFSM
non-repetitive peak
forward current
square wave;
tp
=8ms
[2]
-50A
Ptot
total power dissipation Tamb
25
°C
[3][4]
-0.57W
[3][5]
-0.95W
[3][1]
-1.8W
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PDF描述
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