| 型号: | PMN5118USR |
| 厂商: | ERICSSON POWER MODULES AB |
| 元件分类: | 电源模块 |
| 英文描述: | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, SMD-14 |
| 文件页数: | 26/37页 |
| 文件大小: | 1906K |
| 代理商: | PMN5118USR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMN8118UWP | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| PMN8118UWS | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| PMP5818UWSR | 1-OUTPUT 88 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| PQ1CF2 | 1.5 A SWITCHING REGULATOR, 120 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
| PQ1CF2J0000H | 1.5 A SWITCHING REGULATOR, 120 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P-MN5218 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
| PMN52XPX | 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 3.7A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 |
| PMN55LN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 4.1A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.1A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.1A, SOT457; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.75W; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMN55LN /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PMN55LN,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |