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参数资料
| 型号： | PMN5118USR |
| 厂商： | ERICSSON POWER MODULES AB |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMD-14 |
| 文件页数： | 32/37页 |
| 文件大小： | 1906K |
| 代理商： | PMN5118USR |
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Ericsson Internal
PRODUCT SPECIFICATION
1 (23)
Prepared (also subject responsible if other)
No.
EYIPYAN
2/1301-BMR 656 5118 Uen
Approved
Checked
Date
Rev
Reference
SEC/D (Julia You)
EQUENXU
2007-7-20
C
Absolute Maximum Ratings
Characteristics
min
typ
max
Unit
Tref
Operating Temperature (see Thermal Consideration section)
—40
85
°C
TS
Storage temperature
—40
125
°C
VI
Input voltage
4.5
5
5.5
V
Positive logic option
Vin-0.5
Open
V
VRC
Remote Control pin voltage
(see Operating Information section)
Negative logic option
N/A
V
Vadj
Adjust pin voltage (see Operating Information section)
N/A
V
Stress in excess of Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage. Absolute Maximum Ratings, sometimes referred to as no destruction limits, are
normally tested with one parameter at a time exceeding the limits of Output data or Electrical Characteristics. If exposed to stress above these limits, function and
performance may degrade in an unspecified manner.
Fundamental Circuit Diagram
1
3
2
1
3
2
1
2
PWM Controller
Error Amplifier
RC Block
Auto Track
GND
Ref
INH/UVLO
VIN
GND
VOUT
ADJ
TRK
-VSEN
Turbo Trans
+VSEN
UVLO Prog Block
GND
Turbo Trans
E
PMN 5000 series
POL regulator, Input 4.5-5.5 V, Output up to 30 A/108 W
EN/LZT 146 386 R1A
July 2007
Ericsson Power Modules AB
Technical Specification
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMN8118UWP | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| PMN8118UWS | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| PMP5818UWSR | 1-OUTPUT 88 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| PQ1CF2 | 1.5 A SWITCHING REGULATOR, 120 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
| PQ1CF2J0000H | 1.5 A SWITCHING REGULATOR, 120 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P-MN5218 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
| PMN52XPX | 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 3.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 |
| PMN55LN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 4.1A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.1A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.1A, SOT457; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.75W; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMN55LN /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PMN55LN,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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