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参数资料
型号： PN2907A
厂商： 意法半导体
英文描述： SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
中文描述： 小信号PNP晶体管
文件页数： 3/8页
文件大小： 119K
代理商： PN2907A
PN2907A
http://onsemi.com
3
0
0
-16 V
200 ns
50
1.0 k
200
-30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
+15 V
-6.0 V
1.0 k
37
50
1N916
1.0 k
200 ns
-30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤
2.0 ns
P.W. < 200 ns
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤
2.0 ns
P.W. < 200 ns
Figure 1. Delay and Rise Time Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time Test Circuit
相关PDF资料
PDF描述
PN2907A-AP SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
PN2907A Small Signal Transistors
PN2907A PNP Medium Power Transistor (Switching)
PN2907A Mini size of Discrete semiconductor elements
PN2907A General Purpose Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
PN2907A AMO 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A BULK 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP Through Hole Transistor TO-92
PN2907A T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP SW 600MA 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A,116 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A,126 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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