型号: | PN2907A |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
中文描述: | 小信号PNP晶体管 |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 119K |
代理商: | PN2907A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PN2907A-AP | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
PN2907A | Small Signal Transistors |
PN2907A | PNP Medium Power Transistor (Switching) |
PN2907A | Mini size of Discrete semiconductor elements |
PN2907A | General Purpose Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PN2907A AMO | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2907A BULK | 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP Through Hole Transistor TO-92 |
PN2907A T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP SW 600MA 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2907A,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2907A,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |