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参数资料
| 型号： | PNA2803M(PN268-(NC)) |
| 英文描述： | PNA2803M (PN268-(NC)) - Darlington Phototransistor |
| 中文描述： | PNA2803M（PN268 -（北卡罗来纳州）） -达林顿光电晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | PNA2803M(PN268-(NC)) |
2
PNA2803M
Darlington Phototransistors
P
C
— Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
700
800
900
1000
1100
1200
0
600
V
= 10V
Ta = 25C
I
CEO
— Ta
10
2
1
10
–1
10
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
μ
A
10
–2
– 20
0
40
80
20
60
100
I
CE(L)
— V
CE
24
20
16
8
4
12
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— L
10
3
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
1
10
10
2
10
-1
10
-1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
C
C
I
CE(L)
— Ta
10
1
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
– 40
0
40
80
120
10
–1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
10
–1
1
10
10
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
t
f
— I
CE(L)
10
3
10
2
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
10
–1
1
10
10
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
P
C
= 100mW
L = 20 lx
10 lx
5 lx
1 lx
2 lx
50
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
R
L
V
CC
Sig.
Sig.
R
L
= 1k
500
100
50
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
R
L
V
CC
Sig.
Sig.
R
L
= 1k
500
100
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PDF描述 |
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