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参数资料
| 型号： | PNZ102F |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistors |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MTGFR103-002, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | PNZ102F |
1
Features
Flat window design which is suited to optical systems
Low dark current : I
CEO
= 5 nA (typ.)
Fast response : t
r
, t
f
= 3
μ
s (typ.)
Wide directional sensitivity
Base pin for easy circuit design (PNZ102F)
Phototransistors
PNA1401LF, PNZ102F
Silicon NPN Phototransistors
For optical control systems
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
V
CEO
V
CBO*
V
ECO
V
EBO*
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
30
40
5
5
50
150
–25 to +85
–30 to +100
Unit
V
V
V
V
mA
mW
C
C
Collector to emitter voltage
Collector to base voltage
Emitter to collector voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
PNZ102F only
1: Emitter
2: Collector
Unit : mm
4.6
±
0.15
Glass window
2.54
±
0.25
10
±
02
10
±
015
5.75 max.
2-0.45
±
0.05
4
±
0
1
4
±
3
1
2
PNA1401LF
1: Emitter
2: Base
3: Collector
Unit : mm
4.6
±
0.15
Glass window
2.54
±
0.25
10
±
02
10
±
015
5.75 max.
3-0.45
±
0.05
4
±
0
1
4
±
3
1
3
2
PNZ102F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNA1401LF | Silicon NPN Phototransistors |
| PNZ102 | Silicon planar type |
| PNZ106 | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ107F | Silicon NPN Phototransistors |
| PNZ108F | Silicon NPN Phototransistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PNZ106 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Phototransistor |
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