士兰微原装4A 650V MOS管SVF4N65M

  • 品牌:

    SILAN

  • 型号:

    SVF4N65M

  • 封装:

    TO-251

  • 用途:

    L/功率放大

  • 类型:

    绝缘栅型场效应管

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

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产品信息

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原装4A 650V MOS管SVF4N65M,TO251 TO252 TO220 TO220F,大量现货,欢迎工厂 贸易商采购!

 

SVF4N65: N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特点
? 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V
? 低栅极电荷量
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? 提升了dv/dt 能力

 

 极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)  参数名称  符号  参 数 范 围  
SVF4N65AT  SVF4N65AF  SVF4N65AD  
漏源电压  VDS 650  
栅源电压  VGS ±30  
漏极电流  TC= 25°C  ID 4.0  
TC= 100°C  2.53  
漏极脉冲电流  IDM 16.0  
耗散功率(TC=25°C)   - 大于25°C每摄氏度减少  PD 110  39  90  
0.88  0.31  0.72  
单脉冲雪崩能量(注 1)  EAS 235  
工作结温范围  TJ -55~+150  
贮存温度范围  Tstg -55~+150  


总   机:O512-5O71O709

传   真:O512-5O1112O9

工厂专线:1595O933O5O

贸易专线:13914994568

Q   Q:41086900

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公司介绍

我司香港总部创立于1991年,旗下在昆山、广州、深圳、上海、合肥、成都等地均有分公司。专业代理分销世界各国正品原装集成电路、单片机、二极管、三极管、桥堆、MOS管、光耦、可控硅,并为客户提供相应技术支持、产品研发、售前及售后服务。 经销代理品牌有:ST、FAIRCHILD、MICROCHIP、SHARP、TI、ST先科、长电、UTC、亿光、XLSEMI、BCD、扬杰YJ、FMS、SILAN、TOSHIBA、NS、ON、IR、ATMEL、JRC、VISHAY、PHILIPS、PTC、HITACHI、HOLTEK等。
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    联系人:韦文林 (先生)

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