SILAN
SVF4N65M
TO-251
L/功率放大
绝缘栅型场效应管
N沟道
增强型
5000多家会员为您找货报价,SO EASY!
士兰微一级代理商,原装正品,假一赔十!
原装4A 650V MOS管SVF4N65M,TO251 TO252 TO220 TO220F,大量现货,欢迎工厂 贸易商采购!
SVF4N65: N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特点
? 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V
? 低栅极电荷量
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? 提升了dv/dt 能力
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C) 参数名称 符号 参 数 范 围
SVF4N65AT SVF4N65AF SVF4N65AD
漏源电压 VDS 650
栅源电压 VGS ±30
漏极电流 TC= 25°C ID 4.0
TC= 100°C 2.53
漏极脉冲电流 IDM 16.0
耗散功率(TC=25°C) - 大于25°C每摄氏度减少 PD 110 39 90
0.88 0.31 0.72
单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 235
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
总 机:O512-5O71O709
传 真:O512-5O1112O9
工厂专线:1595O933O5O
贸易专线:13914994568
Q Q:41086900
E-Mail:master@ksmcu.com
电话:15950933050/13914994568
联系人:韦文林 (先生)
QQ:
邮箱:master@ksmcu.com
地址:昆山市利都路258号
100%产品查看率
会员等级
会员年限