IRLMS6802TR介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP 复制 MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1079pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro6?(TSOP-6)
封装/外壳 SOT-23-6
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。
主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。该公司在全球亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。