Toshiba
2SK3667
TO-220
N沟道
5000多家会员为您找货报价,SO EASY!
产品技术参数
标准包装: | 50 |
类别: | 分立式导体产品 |
家庭: | FET - 单 |
系列: | - |
包装: | 散装 |
FET 类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能: | 标准 |
漏源极电压 (Vdss): | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): | 7.5A (Ta) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): | 1 欧姆 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 33nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 45W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
产品实拍图:
电话:0755-82764860/18927434041
联系人:蔡小姐 (女士)
QQ:
邮箱:863079188@qq.com
地址:华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
100%产品查看率
会员等级
会员年限