参数资料
型号: PS9505-AX
厂商: CEL
文件页数: 19/22页
文件大小: 0K
描述: PHOTOCOUPLER IGBT GATE DVR 8DIP
标准包装: 50
系列: NEPOC
电压 - 隔离: 5000Vrms
通道数: 1,单向
电流 - 输出 / 通道: 2A
传输延迟高 - 低 @ 如果: 180ns @ 10mA
电流 - DC 正向(If): 16mA
输入类型: DC
输出类型: 栅极驱动器
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 散装
A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.
PS9505,PS9505L1,PS9505L2,PS9505L3
Chapter Title
<R>
SPECIFICATION OF VDE MARKS LICENSE DOCUMENT
Parameter
Climatic test class (IEC 60068-1/DIN EN 60068-1)
Symbol
Spec.
40/110/21
Unit
Dielectric strength
maximum operating isolation voltage
Test voltage (partial discharge test, procedure a for type test and random test)
U IORM
U pr
1 130
1 808
V peak
V peak
U pr = 1.6 × U IORM , P d < 5 pC
Test voltage (partial discharge test, procedure b for all devices)
U pr
2 119
V peak
U pr = 1.875 × U IORM , P d < 5 pC
Highest permissible overvoltage
Degree of pollution (DIN EN 60664-1 VDE0110 Part 1)
Comparative tracking index (IEC 60112/DIN EN 60112 (VDE 0303 Part 11))
Material group (DIN EN 60664-1 VDE0110 Part 1)
Storage temperature range
Operating temperature range
U TR
CTI
T stg
T A
8 000
2
175
III a
–55 to +125
–40 to +110
V peak
°C
°C
Isolation resistance, minimum value
V IO = 500 V dc at T A = 25°C
V IO = 500 V dc at T A MAX. at least 100°C
Ris MIN.
Ris MIN.
10
10
12
11
Ω
Ω
Safety maximum ratings (maximum permissible in case of fault, see thermal
derating curve)
Package temperature
Current (input current I F , Psi = 0)
Power (output or total power dissipation)
Tsi
Isi
Psi
175
400
700
°C
mA
mW
Isolation resistance
10
V IO = 500 V dc at T A = Tsi
R 0 8 D S 0 0 1 5 E J 0 1 0 0 R e v . 1 . 0 0
Ris MIN.
9
Ω
P a g e 1 9 o f 2 0
Jan 06, 2012
相关PDF资料
PDF描述
770103121P RES ARRAY 120 OHM 5 RES 10-SIP
FAD1-12025CHLW12 FAN 120X25.5MM 12VDC HYDRO WIRE
1404-0016-36 NUT STRIP FRONT HORIZ 7.40"
SR3-66A2 RAIL FRMAE LOC 3"X6.6" ALUMINUM
4-640441-2 CONN RECEPT 12POS 24AWG MTA100
相关代理商/技术参数
参数描述
PS9505L1-AX 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
PS9505L2-AX 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
PS9505L2-E3-AX 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
PS9505L3-AX 功能描述:高速光耦合器 15-30Volts 10mA -40C +110C High CMR RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
PS9505L3-E3-AX 功能描述:高速光耦合器 15-30Volts 10mA -40C +110C High CMR RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube