- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21573 > PS9505-AX (CEL)PHOTOCOUPLER IGBT GATE DVR 8DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PS9505-AX |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER IGBT GATE DVR 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | NEPOC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 180ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 16mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 散装 |
A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.
PS9505,PS9505L1,PS9505L2,PS9505L3
Chapter Title
<R>
SWITCHING CHARACTERISTICS
(V EE = GND, unless otherwise specified and refer to RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
*1
MAX.
Unit
Duty Cycle = 50% , I F = 10 mA
Propagation Delay Time (L → H)
Propagation Delay Time (H → L)
Pulse Width Distortion (PWD)
Propagation Delay Time (Difference
t PLH
t PHL
|t PHL ? t PLH |
t PHL ? t PLH
R g = 10 Ω , C g = 10 nF, f = 10 kHz,
*2
? 0.1
0.07
0.10
0.03
0.25
0.25
0.1
0.1
μ s
μ s
μ s
μ s
Between Any Two Products)
Rise Time
Fall Time
t r
t f
50
50
ns
ns
UVLO (Turn On Delay)
t UVLO ON
V O > 5 V, I F = 10 mA
0.8
μ s
UVLO (Turn Off Delay)
t UVLO OFF V O < 5 V, I F = 10 mA
0.6
μ s
Common Mode Transient Immunity at
|CM H |
T A = 25 ° C, I F = 10 to 16 mA, V CC = 30 V,
25
kV/ μ s
High Level Output
V O (MIN.) = 26 V, V CM = 1.5 kV
Common Mode Transient Immunity at
|CM L |
T A = 25 ° C, I F = 0 mA, V CC = 30 V,
25
kV/ μ s
Low Level Output
V O (MAX.) = 1 V, V CM = 1.5 kV
*1 Typical values at T A = 25 ° C.
*2 This load condition is equivalent to the IGBT load at 1 200 V/75 A.
R 0 8 D S 0 0 1 5 E J 0 1 0 0 R e v . 1 . 0 0
Jan 06, 2012
P a g e 7 o f 2 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 770103121P | RES ARRAY 120 OHM 5 RES 10-SIP |
| FAD1-12025CHLW12 | FAN 120X25.5MM 12VDC HYDRO WIRE |
| 1404-0016-36 | NUT STRIP FRONT HORIZ 7.40" |
| SR3-66A2 | RAIL FRMAE LOC 3"X6.6" ALUMINUM |
| 4-640441-2 | CONN RECEPT 12POS 24AWG MTA100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PS9505L1-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9505L2-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9505L2-E3-AX | 功能描述:高速光耦合器 High CMR IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9505L3-AX | 功能描述:高速光耦合器 15-30Volts 10mA -40C +110C High CMR RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| PS9505L3-E3-AX | 功能描述:高速光耦合器 15-30Volts 10mA -40C +110C High CMR RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。