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参数资料
| 型号： | PSD834F5V-20 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals for 8-bit MCUs, 5V |
| 中文描述： | Flash在系统可编程（ISP）的周边8位MCU，5V的 |
| 文件页数： | 96/110页 |
| 文件大小： | 1737K |
| 代理商： | PSD834F5V-20 |
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PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
96/110
Table 64. Port A Peripheral Data Mode WRITE Timing (3V devices)
Note: 1. RD has the same timing as DS, LDS, UDS, and PSEN (in 8031 combined mode).
2. WR has the same timing as the E, LDS, UDS, WRL, and WRH signals.
3. Any input used to select Port A Data Peripheral mode.
4. Data is already stable on Port A.
5. Data stable on ADIO pins to data on Port A.
Figure 49. Reset (RESET) Timing
Table 65. Reset (RESET) Timing (5V devices)
Note: 1. Reset (RESET) does not reset Flash memory Program or Erase cycles.
2. Warm reset aborts Flash memory Program or Erase cycles, and puts the device in READ Mode.
Table 66. Reset (RESET) Timing (3V devices)
Note: 1. Reset (RESET) does not reset Flash memory Program or Erase cycles.
2. Warm reset aborts Flash memory Program or Erase cycles, and puts the device in READ Mode.
Symbol
Parameter
Conditions
-12
-15
-20
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WLQV–PA
WR to Data Propagation Delay
(Note
2
)
42
45
55
ns
t
DVQV–PA
Data to Port A Data Propagation Delay
(Note
5
)
38
40
45
ns
t
WHQZ–PA
WR Invalid to Port A Tri-state
(Note
2
)
33
33
35
ns
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
t
NLNH
RESET Active Low Time
1
150
ns
t
NLNH–PO
Power On Reset Active Low Time
1
ms
t
NLNH–A
Warm Reset (on the PSD834Fx)
2
25
μ
s
t
OPR
RESET High to Operational Device
120
ns
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
t
NLNH
RESET Active Low Time
1
300
ns
t
NLNH–PO
Power On Reset Active Low Time
1
ms
t
NLNH–A
Warm Reset (on the PSD834Fx)
2
25
μ
s
t
OPR
RESET High to Operational Device
300
ns
tNLNH-PO
Power-On Reset
tOPR
AI02866b
RESET
tNLNH
tNLNH-A
Warm Reset
tOPR
V
CC
V
CC
(min)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PSD835G2-70U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90UI | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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