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参数资料
型号： PSD835G1V-A-12J
厂商： 意法半导体
英文描述： Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
中文描述： 在8片位微控制器可配置存储系统
文件页数： 5/110页
文件大小： 570K
代理商： PSD835G1V-A-12J
P
P
4
PROG.
MCU BUS
INTRF.
ADIO
PORT
CNTL0,
CNTL1,
CNTL2
AD0
–
AD15
CLKIN
CLKIN
PORT F
CLKIN
PLD
INPUT
BUS
PROG.
PORT
PORT
A
PROG.
PORT
PORT
B
POWER
MANGMT
UNIT
4 MBIT MAIN FLASH
MEMORY
8 SECTORS
VSTDBY
(PE6)
PA0
–
PA7
PROG.
PORT
PORT
F
PROG.
PORT
PORT
G
PROG.
PORT
PORT
E
PB0
–
PB7
PROG.
PORT
PORT
C
PROG.
PORT
PORT
D
PF0
–
PF7
PG0
–
PG7
PE0
–
PE7
PC0
–
PC7
PD0
–
PD3
ADDRESS/DATA/CONTROL BUS
PORT A & B
8 EXT CS to PORT C or F
24 INPUT MICRO
CELLS
PORT A ,B & C
82
82
256 KBIT SECONDARY
FLASH MEMORY
(BOOT OR DATA)
4 SECTORS
64 KBIT BATTERY
BACKUP SRAM
RUNTIME CONTROL
AND I/O REGISTERS
SRAM SELECT
PERIP I/O MODE SELECTS
CSIOP
MICRO
CELL FEEDBACK OR PORT INPUT
FLASH ISP CPLD
(CPLD)
16 OUTPUT MICRO
CELLS
FLASH DECODE
PLD (DPLD)
PLD, CONFIGURATION
& FLASH MEMORY
LOADER
JTAG
SERIAL
CHANNEL
PAGE
REGISTER
EMBEDDED
ALGORITHM
SECTOR
SELECTS
SECTOR
SELECTS
GLOBAL
CONFIG. &
SECURITY
F
*
Additional address lines can be brought into PSD via Port A, B, C, D, or F.
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PSD835G2-90U 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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