型号: | PSMN6R0-30YLB |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PSMN6R0-30YLB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PSMN6R0-30YLDX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PSMN6R0-30YLD/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
PSMN6R1-25MLDX | 功能描述:PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):702pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):42W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.24 毫欧 @ 15A, 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 |
PSMN6R1-30YLDX | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):66A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 基本零件编号:PSMN6R1 标准包装:1 |
PSMN6R3-120ESQ | 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):120V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):207.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散(最大值):405W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 标准包装:50 |