型号: | PSMN7R6-60PS |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PSMN7R6-60PS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PSMN8R0-30YL | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PSMN7R6-60PS,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PSMN7R6-60PS127 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
PSMN7R6-60XSQ | 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2651pF @ 30V 功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F-3 标准包装:50 |
PSMN7R8-100PSEQ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V SIL3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):128nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):294W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 |
PSMN7R8-120ESQ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PSMN7R8-120ES/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 120V I2PAK |