参数资料
型号: PT4800E0000F
厂商: Sharp Microelectronics
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文件大小: 0K
描述: PHOTO TRANS CLEAR LEN 800NM SIDE
标准包装: 50
系列: *
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 35V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电流 - 暗 (Id)(最大): 100µA
波长: 800nm
视角: 70°
功率 - 最大: 75mW
安装类型: 通孔
方向: 侧视图
封装/外壳: 径向
其它名称: 425-2377-5
PT4800E0000F
Fig. 5 Collector Current vs. Irradiance
Fig. 7 Response Time vs. Load Resistance
10
V CE = 5 V
Ta = 25°C
100
V CE = 2 V
I C = 2 mA
Ta = 25°C
tr
1
10
tf
tf
tr
0.1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
Irradiance Ee (m W /cm 2 )
Load resistance R L (k Ω )
Fig. 6 Collector Current vs.
Collector-Emitter Voltage
Fig. 8 Test Circuit for Response Time
0.6
0.5
Ta = 25°C
O u tp u t
Inp u t
90%
0.4
0.3
0.2
Ee = 1.0 m W /cm 2
0.75 m W /cm 2
0.5 m W /cm 2
V CC
R L
O u tp u t
td
tr
ts
tf
10%
0.1
0.25 m W /cm 2
0.1 m W /cm 2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Collector-emitter v oltage V CE ( V )
Sheet No.: D1-A02101EN
5
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
PT4800F 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 类别:传感器,转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1mA 电流 - 暗 (Id)(最大):100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向
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PT4800FBE00F 功能描述:光电晶体管 PT4800F with Ic bin 0.15-0.38mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
PT4800FE000F 功能描述:光电晶体管 BLACK LENS 860NM RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
PT4801 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:25-Watt Triple Output 48V-Input Isolated DC/DC Converter for DSL