参数资料
| 型号： | PTVS18VS1UR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNI-DIR 18V 400W SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 18V |
| 电压 - 击穿： | 20V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PTVSxS1UR series
400 W Transient Voltage Suppressor
Rev. 3 — 10 January 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
400 W unidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) in a SOD123W small and flat
lead low-profile Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, designed for transient
overvoltage protection.
1.2 Features and benefits
Rated peak pulse power:
P PPM = 400 W (350 W for 3V3)
Reverse standoff voltage range:
V RWM = 3.3 V to 64 V
Reverse current: I RM = 0.001 μ A
1.3 Applications
Power supply protection
Automotive application
Industrial application
Power management
1.4 Quick reference data
Small plastic package suitable for
surface-mounted design
Very low package height: 1 mm
AEC-Q101 qualified
Table 1.
Quick reference data
Symbol
P PPM
V RWM
Parameter
rated peak pulse power
reverse standoff voltage
Conditions
[1][2]
Min
-
3.3
Typ
-
-
Max
400
64
Unit
W
V
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 μ s current waveform).
For PTVS3V3S1UR: P PPM = 350 W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V220CH8 | VARISTR 220V 250A 5J SMD CH T/R |
| PBC02SACN | CONN HEADER .100 SINGL STR 2POS |
| PEC01SFBN | CONN HEADER .100 SINGL STR 1POS |
| 153236-2020-TB | CONN SKT 2MM 36POS THRU-BRD SMD |
| V180CH8 | VARISTR 180V 250A 4J SMD CH T/R |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS18VS1UTR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 18V 400W 2-Pin SOD-123W Cut Tape |
| PTVS18VS1UTR,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 22.1V 400W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS18VU1UPAZ | 功能描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:29.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10.3A 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN2020-3 基本零件编号:PTVS18V 标准包装:1 |
| PTVS18VZ1USKYL | 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.8VC DSN1608-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脉冲:210W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:290pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:DSN1608-2 标准包装:1 |
| PTVS20VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 20V 600W SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:20V; Breakdown Voltage Min:22.2V; Breakdown Voltage Max:24.5V; Clamping Voltage Vc Max:32.4V; Peak Pulse Current Ippm:18.5A ;RoHS Compliant: Yes |
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