参数资料
| 型号： | PTVS18VS1UR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNI-DIR 18V 400W SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 18V |
| 电压 - 击穿： | 20V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UR series
400 W Transient Voltage Suppressor
6. Thermal characteristics
Table 8.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
R th(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
-
-
-
-
220
130
K/W
K/W
-
-
70
K/W
R th(j-sp)
thermal resistance from
-
-
18
K/W
junction to solder point
[1]
[2]
[3]
[4]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm 2 .
Device mounted on a ceramic PCB, Al 2 O 3 , standard footprint.
Soldering point of cathode tab.
7. Characteristics
Table 9. Characteristics per type; PTVS3V3S1UR to PTVS7V0S1UR
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Type number
Reverse standoff
voltage
Breakdown voltage
V BR (V)
Reverse leakage
current
Clamping voltage
V CL (V)
V RWM (V)
I R = 10 mA
I RM ( μ A)
at V RWM (V)
Max
Min
Typ
Max
Typ
Max
Max
I PPM (A)
PTVS3V3S1UR
PTVS5V0S1UR
PTVS6V0S1UR
PTVS6V5S1UR
PTVS7V0S1UR
3.3
5.0
6.0
6.5
7.0
5.20
6.40
6.67
7.22
7.78
5.60
6.70
7.02
7.60
8.20
6.00
7.00
7.37
7.98
8.60
5
5
5
5
3
600
400
400
250
100
8.0
9.2
10.3
11.2
12.0
43.8
43.5
38.8
35.7
33.3
Table 10. Characteristics per type; PTVS7V5S1UR to PTVS64VS1UR
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Type number
Reverse standoff
voltage
Breakdown voltage
V BR (V)
Reverse leakage
current
Clamping voltage
V CL (V)
V RWM (V)
I R = 1 mA
I RM ( μ A)
at V RWM (V)
Max
Min
Typ
Max
Typ
Max
Max
I PPM (A)
PTVS7V5S1UR
PTVS8V0S1UR
PTVS8V5S1UR
PTVS9V0S1UR
PTVS10VS1UR
PTVS11VS1UR
PTVS12VS1UR
PTVS13VS1UR
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
8.33
8.89
9.44
10.00
11.10
12.20
13.30
14.40
8.77
9.36
9.92
10.55
11.70
12.85
14.00
15.15
9.21
9.83
10.40
11.10
12.30
13.50
14.70
15.90
0.2
0.03
0.01
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
50
25
10
5
2.5
2.5
2.5
0.1
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
31.0
29.4
27.8
26.0
23.5
22.0
20.1
18.6
PTVSxS1UR_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 10 January 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V220CH8 | VARISTR 220V 250A 5J SMD CH T/R |
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| PEC01SFBN | CONN HEADER .100 SINGL STR 1POS |
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| V180CH8 | VARISTR 180V 250A 4J SMD CH T/R |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS18VS1UTR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 18V 400W 2-Pin SOD-123W Cut Tape |
| PTVS18VS1UTR,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 22.1V 400W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS18VU1UPAZ | 功能描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:29.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10.3A 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN2020-3 基本零件编号:PTVS18V 标准包装:1 |
| PTVS18VZ1USKYL | 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.8VC DSN1608-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脉冲:210W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:290pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:DSN1608-2 标准包装:1 |
| PTVS20VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 20V 600W SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:20V; Breakdown Voltage Min:22.2V; Breakdown Voltage Max:24.5V; Clamping Voltage Vc Max:32.4V; Peak Pulse Current Ippm:18.5A ;RoHS Compliant: Yes |
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