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参数资料
| 型号： | PTZTE-177.5B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PMDS, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | PTZTE-177.5B |
PTZ Series
Diodes
Rev.A
1/4
Zener diode
PTZ Series
Applications
1) Voltage regulation and voltage limiting.
2) Voltage surge absorption.
Features
1) Small surface mounting type. (PMDS)
2) 1W of power can be obtained despite compact size.
3) High surge withstand level.
Construction
Silicon epitaxial planar
External dimensions (Unit : mm)
0.1
CATHODE MARK
4.5±0.2
2.6±0.2
2.0±0.2
1.2±0.3
0
0.1
1.5±0.2
5.0±0.3
+0.02
0.1
Model name (voltage rank)
Date of manufacture Ex. 1999.12
→9.C
EIAJ :
JEDEC : SOD-106
ROHM : PMDS
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
P
Tj
150
°C
Tstg
°C
W
1
55 to +150
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Mounting density of other power components should be taken into consideration when laying out the
pattern.
Marking (Voltage rank)
3.6B
9C
(Ex.) PTZ3.6B
Year of manufacture: last
digit of Western calendar
Month of manufacture
Symbol
1
2
3
456789
O
A
C
Jan. Feb. Mar. Apr. May Jun. Jul. Aug. Sep. Oct. Nov. Dec.
Month
Zener voltage category
1999
Dec.
Ex.) PTZ3.6B
Type No.
3.6
B
8.2
B
20
B
3.9
B
9.1
B
22
B
4.3
B
10
B
24
B
4.7
B
11
B
27
B
5.1
B
12
B
PTZ3.6B
PTZ3.9B
PTZ4.3B
PTZ4.7B
PTZ5.1B
PTZ8.2B
PTZ9.1B
PTZ10B
PTZ11B
PTZ12B
PTZ20B
PTZ22B
PTZ24B
PTZ27B
30
B
PTZ30B
5.6
B
13
B
33
B
6.2
B
36
B
6.8
B
16
B
7.5
B
18
B
PTZ5.6B
PTZ6.2B
PTZ6.8B
PTZ7.5B
PTZ13B
PTZ15B
PTZ16B
PTZ18B
PTZ33B
PTZ36B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTZTE-179.1B | 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| PU4171 | 3 A, 100 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| PUMA2E1000I-15 | 32K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CPGA66 |
| PUMA2F16006MB-120E | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHMA66 |
| PUMA2F16006BI-120E | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHMA66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTZTE2510A | 功能描述:稳压二极管 10V 40MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PTZTE2510B | 功能描述:稳压二极管 10V 1W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PTZTE-2510B | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SMD 10-11.2V 1W S0D-106 |
| PTZTE2511A | 功能描述:稳压二极管 11V 20MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PTZTE2511B | 功能描述:稳压二极管 11V 1W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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