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参数资料
| 型号： | PTZTE-177.5B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PMDS, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | PTZTE-177.5B |
PTZ Series
Diodes
Rev.A
2/4
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Zener voltage subdivision
Operating
resistance
Reverse current
PTZ 3.6B
15
1.0
3.600
4.000
PTZ 3.9B
15
1.0
3.900
4.400
PTZ 4.3B
15
1.0
4.300
4.800
PTZ 4.7B
10
1.0
4.700
5.200
PTZ 5.1B
8
1.0
5.100
5.700
PTZ 5.6B
8
1.5
5.600
6.300
Type
VZ
(V)
ZZ
(
)
IR
(
A)
Min.
Max.
IZ
(mA)
Max.
IZ
(mA)
Max.
VR
(V)
40
20
40
20
40
20
40
20
40
20
40
20
PTZ 24B
10
16
10
19.0
24.000
27.600
PTZ 27B
10
16
10
21.0
27.000
30.800
PTZ 30B
10
18
10
23.0
30.000
34.000
PTZ 33B
10
18
10
25.0
33.000
37.000
PTZ 36B
10
20
10
27.0
36.000
40.000
PTZ 13B
20
10
20
10
10.0
13.300
15.000
PTZ 15B
20
10
20
10
11.0
14.700
16.500
PTZ 16B
20
12
20
10
12.0
16.200
18.300
PTZ 18B
20
12
20
10
13.0
18.000
20.300
PTZ 20B
20
14
20
10
15.0
20.000
22.400
PTZ 22B
10
14
10
17.0
22.000
24.500
PTZ 8.2B
40
4
40
20
5.0
8.200
9.300
PTZ 9.1B
40
6
40
20
6.0
9.100
10.200
PTZ 10B
40
6
40
10
7.0
10.000
11.200
PTZ 11B
20
8
20
10
8.0
11.000
12.300
PTZ 12B
20
8
20
10
9.0
12.000
13.500
PTZ 6.8B
40
6
40
20
3.5
6.800
7.700
PTZ 7.5B
40
4
40
20
4.0
7.500
8.400
PTZ 6.2B
40
6
40
20
3.0
6.200
7.000
Notes) 1. The Zener voltage is measured 40ms after power is supplied.
2. The operating resistances (Zz, Zzk) are measured by superimposing a minute alternating current on
the regulated current (Iz).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTZTE-179.1B | 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| PU4171 | 3 A, 100 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| PUMA2E1000I-15 | 32K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CPGA66 |
| PUMA2F16006MB-120E | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHMA66 |
| PUMA2F16006BI-120E | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHMA66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTZTE2510A | 功能描述:稳压二极管 10V 40MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PTZTE2510B | 功能描述:稳压二极管 10V 1W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PTZTE-2510B | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SMD 10-11.2V 1W S0D-106 |
| PTZTE2511A | 功能描述:稳压二极管 11V 20MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| PTZTE2511B | 功能描述:稳压二极管 11V 1W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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