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参数资料
| 型号： | Q8012NH556TP |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 891K |
| 代理商： | Q8012NH556TP |
100
Revised: November 1, 2010 05:04 PM
2010 Littelfuse, Inc
Teccor brand Thyristors
Specifications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
12 Amp Alternistor (High Communitation) Triacs
Qxx12xHx Series
Electrical Characteristics (T
J = 25°C, unless otherwise specified) — Alternistor Triac (3 Quadrants)
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Qxx12xH2
Qxx12xH5
Unit
I
GT
V
D = 12V RL = 60 Ω
I – II – III
MAX.
10
50
mA
V
GT
I – II – III
MAX.
1.3
V
GD
V
D = VDRM RL = 3.3 kΩ TJ = 125°C
I – II – III
MIN.
0.2
V
I
H
I
T = 100mA
MAX.
15
50
mA
dv/dt
V
D = VDRM Gate Open TJ = 125°C
400V
MIN.
300
750
V/μs
600V
200
650
800V
150
500
V
D = VDRM Gate Open TJ = 100°C
1000V
150
300
(dv/dt)c
(di/dt)c = 6.5 A/ms T
J = 125°C
MIN.
2
30
V/μs
t
gt
I
G = 2 x IGT
PW = 15μs I
T = 17.0 A(pk)
TYP.
4
μs
Absolute Maximum Ratings — Alternistor (3 Quadrants)
Symbol
Parameter
Value
Unit
I
T(RMS)
RMS on-state current (full sine wave)
Qxx12LHy
T
C = 90°C
12
A
Qxx12RHy
Qxx12NHy
T
C = 105°C
I
TSM
Non repetitive surge peak on-state current
(full cycle, T
J initial = 25°C)
f = 50 Hz
t = 20 ms
110
A
f = 60 Hz
t = 16.7 ms
120
I2t
I2t Value for fusing
t
p = 8.3 ms
60
A2s
di/dt
Critical rate of rise of on-state current
f = 120 Hz
T
J = 125°C
70
A/μs
I
GTM
Peak gate trigger current
t
p ≤ 10 μs;
I
GT ≤ IGTM
T
J = 125°C
2.0
A
P
G(AV)
Average gate power dissipation
T
J = 125°C
0.5
W
T
stg
Storage temperature range
-40 to 150
°C
T
J
Operating junction temperature range
-40 to 125
°C
Note: xx = voltage, y = sensitivity
Static Characteristics
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
V
TM
I
TM = 17.0A tp = 380 s
MAX.
1.60
V
I
DRM
I
RRM
V
D = VDRM / VRRM
T
J = 25°C
400-1000V
MAX.
10
μA
T
J = 125°C
400-800V
2
mA
T
J = 100°C
1000V
3
Thermal Resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
θ(J-C)
Junction to case (AC)
Qxx12RHy
Qxx12NHy
1.2
°C/W
Qxx12LHy
2.3
R
θ(J-A)
Junction to ambient (AC)
Qxx12RHy
45
°C/W
Qxx12LHy
90
Note: xx = voltage, y = sensitivity
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q8012NH556 | ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB |
| Q8012RH256TP | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q8012RH256 | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q8012RH2TP | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q8012RH2 | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q8012NH5RP | 功能描述:双向可控硅 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8012NH5TP | 功能描述:双向可控硅 800V 12A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8012RH2 | 功能描述:双向可控硅 Altnstr 800V 12A 10-10-10 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8012RH5 | 功能描述:双向可控硅 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8015L5 | 功能描述:双向可控硅 800V 15A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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