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参数资料
| 型号： | Q8012NH556TP |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 891K |
| 代理商： | Q8012NH556TP |
102
Revised: November 1, 2010 05:04 PM
2010 Littelfuse, Inc
Teccor brand Thyristors
Specifications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
12 Amp Alternistor (High Communitation) Triacs
Qxx12xHx Series
Figure 8: On-State Current vs. On-State Voltage
(Typical)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
Positive or Negative Instantaneous On-State Voltage
(V
T) - Volts
Po
sitive
or
Negative
Instantaneous
On-S
tate
Current
(I
T)
-
AM
PS
T
C = 25C
Figure 7: Maximum Allowable Ambient Temperature
vs. On-State Current
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
0.
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
RMS On-State Current [I
T(RMS)] - AMPS
Max
Allowable
Ambient
Temperature
(T
A)
-
C
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
FREE AIR RATING - No HEAT SINK
Qxx12LH5
Qxx12RH5
1
10
100
1000
10
1
Surge Current Duration - Full Cycles
Peak
Surge
(Non-Repetitive
On-State
Current
(I
TSM
)-
AMPS
100
Figure 9: Surge Peak On-State Current vs. Number of Cycles
Supply Frequency: 60Hz Sinusoidal
Load: Resistive
RMS On-State Current [I
T(RMS) : Maximum]
Rated Value at Specific Case Temperature
Notes:
1. Gate control may be lost during and immediately
following surge current interval.
2. Overload may not be repeated until junction
temperature has returned to steady-state
rated value.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q8012NH556 | ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB |
| Q8012RH256TP | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q8012RH256 | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q8012RH2TP | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q8012RH2 | ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q8012NH5RP | 功能描述:双向可控硅 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8012NH5TP | 功能描述:双向可控硅 800V 12A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8012RH2 | 功能描述:双向可控硅 Altnstr 800V 12A 10-10-10 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8012RH5 | 功能描述:双向可控硅 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8015L5 | 功能描述:双向可控硅 800V 15A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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