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参数资料
| 型号： | Q8016LH4 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 800 V, 16 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | Q8016LH4 |
PARAMETERS
Package Type
Pkg Type
Radial
Leaded
Mount Method
Mount
Through
Hole
Critical Rate-of-rise of On-state Current
di/dt (A/s)
100
Critical rate-of-rise of off-state voltage
dv/dt @ 100°C
(V/s)
425
Critical rate-of-rise of off-state voltage
dv/dt @ 125°C
(V/s)
350
Critical Rate-of-rise of Commutation Voltage of a Triac
(commutating dv/dt)
dv/dt(c) TYP
(V/s)
25
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 100°C max
(mA)
1.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 110°C
MAX (mA)
0.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 125°C max
(mA)
3.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 25°C max
(mA)
0.1000
Gate Trigger Current - Q4
IGT Q4 TYP (mA)
0
Peak gate trigger current
IGTM (A)
2.0000
RMS Surge (Non-repetitive) On-state Fusing Current
I2 t (A2 Sec)
166.0000
Average Gate Power Dissipation
PG(AV) (Watts)
0.5000
Peak Gate Power Dissipation
PGM (Watts)
20
Package Size / Form Factor
Size
TO-220
Gate-controlled Turn-on time
TGT TYP (s)
3.0000
Maximum Gate Trigger Voltage
VGT MAX @ 125°C
(V)
0.2000
Gate Trigger Voltage
VGT MAX @ 25°C
(V)
2.0000
Peak on-state voltage a maximum rated RMS current
VTM (V)
1.6000
Maximum On-state Current
IT(RMS) MAX (A)
16
Repetitive Peak Off-state Voltage
VDRM MIN (V)
800
Gate Trigger Current - Q1
IGT Q1 MAX (mA) 35
Gate Trigger Current - Q2
IGT Q2 MAX (mA) 35
Gate Trigger Current - Q3
IGT Q3 MAX (mA) 35
Gate Trigger Current - Q4
IGT Q4 MAX (mA) 0
Maximum Holding Current
IH MAX (mA)
50
Surge (Non-repetitive) On-state current
ITSM @ 60Hz (A)
200
Surge (Non-repetitive) On-state current
ITSM @ 50Hz (A)
167
Certifications
Cert
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q8016LH4TP | 功能描述:双向可控硅 800V 16A 35-35-35 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8016LH6 | 功能描述:双向可控硅 800V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8016NH3 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:Alternistor Triacs (6 A to 40 A) |
| Q8016NH3RP | 功能描述:双向可控硅 800V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8016NH3TP | 功能描述:双向可控硅 800V 16A 20-20-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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