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参数资料
| 型号： | QED222 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 5MM |
| 产品目录绘图： | QED(1,2)23, QED(1,2)22, 234 Pinout |
| 标准包装： | 250 |
| 系列： | QED22x |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 16mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 880nm |
| 正向电压： | 1.5V |
| 视角： | 40° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | T 1 3/4 |
| 产品目录页面： | 2865 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Curves (Continued)
100 °
80 °
Figure 7. Radiation Diagram
90 °
110 ° 70 °
Figure 8. Coupling Characteristics of QED22X and QSD22X
1.0
Normalized to:
d = 0 inch
140 °
130 °
120 °
60 °
50 °
40 °
0.8
Pulse Width = 100 μ s
Duty Cycle = 0.1%
V CC = 5V
R L = 100 Ω
T A = 25 ° C
0.6
150 °
30 °
I F = 100mA
160 °
170 °
20 °
10 °
0.4
0.2
I F = 20mA
180 °
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 °
1.0
0.0
0
1
2
3
4
5
6
LENS TIP SEPARATION (inches)
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
QED222, QED223 Rev. 1.0.2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QED234 | LED IR EMITTING ALGAAS 940NM 5MM |
| QEC123 | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 3MM |
| QEC122 | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 3MM |
| D2MC-5E | SWITCH MINI SPDT 5A 5.1GF |
| QEC113 | LED IR EMITTING GAAS 940NM 3MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QED222 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IR Emitting Diode |
| QED222_Q | 功能描述:红外发射源 16mW/sr 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED223 | 功能描述:红外发射源 25mW/sr 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED223 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:INFRARED LED ROHS COMPLIANT:NO |
| QED223_022 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:T1 3/4, ALGAAS LED - Bulk |
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