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参数资料
| 型号： | QED233 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING ALGAAS 940NM 5MM |
| 产品目录绘图： | QED(1,2)23, QED(1,2)22, 234 Pinout |
| 标准包装： | 250 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 10mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 940nm |
| 正向电压： | 1.6V |
| 视角： | 40° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | T 1 3/4 |
| 产品目录页面： | 2865 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QED233QT QED233QT-ND |
PLASTIC INFRARED
LIGHT EMITTING DIODE
QED233
PACKAGE DIMENSIONS
0.195 (4.95)
QED234
REFERENCE
SURFACE
0.305 (7.75)
0.040 (1.02)
NOM
0.800 (20.3)
MIN
0.050 (1.25)
CATHODE
0.100 (2.54)
NOM
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
0.020 (0.51)
SQ. (2X)
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
SCHEMATIC
ANODE
CATHODE
DESCRIPTION
The QED233 / QED234 is a 940 nm GaAs / AlGaAs LED encapsulated in a clear untinted, plastic T-1 3/4 package.
FEATURES
? = 940 nm
? Chip material =GaAs with AlGaAs window
? Package type: T-1 3/4 (5mm lens diameter)
? Matched Photosensor: QSD122/123/124
? Medium Emission Angle, 40°
? High Output Power
? Package material and color: Clear, untinted, plastic
? Ideal for remote control applications
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300338 10/31/01
1 OF 4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB363 | IC PHOTOTRANS IR 940NM BLK 1.9MM |
| QEB363GR | LED IR EMITTING 940NM 2MM GW T/R |
| 04J-BP-T01 | JOYSTICK 4 WAY W/PB REAR PNL MNT |
| QED222 | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 5MM |
| QED234 | LED IR EMITTING ALGAAS 940NM 5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QED233A4A0 | 功能描述:红外发射源 T-1 3-4 LED ALGAAS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED233A4R0 | 功能描述:红外发射源 Infrared EmittIng alGaas RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED233A4R0_F132 | 功能描述:红外发射源 QED233 FSSP LED Die RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED234 | 功能描述:红外发射源 T-1 3/4 0.13MW IR RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED234A4R0 | 功能描述:红外发射源 GaAs Infrared Emitting Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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