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参数资料
| 型号： | QED234 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING ALGAAS 940NM 5MM |
| 产品目录绘图： | QED(1,2)23, QED(1,2)22, 234 Pinout |
| 标准包装： | 250 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 27mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 940nm |
| 正向电压： | 1.6V |
| 视角： | 40° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | T 1 3/4 |
| 产品目录页面： | 2865 (CN2011-ZH PDF) |
PLASTIC INFRARED
LIGHT EMITTING DIODE
QED233
TYPICAL PERFORMANCE CURVES TBD
Fig. 1 Normalized Radiant Intensity vs. Forward Current
10
2.0
QED234
Fig. 2 Forward Voltage Vs. Ambient Temperature
Normalized to:
I F = 50mA
I F =100mA
1
I F = 100 mA
T A = 25 ? C
t pw = 100 μs
1.5
0.1
0.01
1.0
0.5
I F =10mA
I F =20mA
I F Pulsed
t pw = 100 μs
Duty Cycle = 0.1%
0.0
1
10
100
1000 1500
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I F - FORWARD CURRENT (mA)
Fig. 3 Normalized Radiant Intensity vs. Wavelength
T A - AMBIENT TEMPERATURE (? C)
Fig. 4 Radiation Diagram
1.0
110
100
90
80
70
120
60
0.8
0.6
0.4
140
150
160
130
50
40
30
20
0.2
0
170
180
10
0
800
850
900
950
1000
1050
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
λλ (nm)
Fig. 5 Forward Current vs. Forward Voltage
1000
T A = 25 ? C
100
10
1
1
2
3
4
V F - FORWARD VOLTAGE (V)
DS300338
10/31/01
3 OF 4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QED234A4R0 | 功能描述:红外发射源 GaAs Infrared Emitting Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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