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参数资料
| 型号： | QEE113 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING 940NM SIDELOOKER |
| 产品目录绘图： | QEE113, 123 Pinout |
| 标准包装： | 500 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 3mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 940nm |
| 正向电压： | 1.5V |
| 视角： | 50° |
| 方向： | 侧视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 产品目录页面： | 2865 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QEE113QT QEE113QT-ND |
Typical Performance Curves
1.0
Fig. 1 Normalized Intensity vs. Wavelength
975
Fig. 2 Peak Wavelength vs. Ambient Temperature
0.9
970
I F = 20mA DC
0.8
965
0.7
0.6
0.5
0.4
960
955
950
0.3
945
0.2
0.1
940
0.0
700
750
800
850
900
950
1,000
1,050
935
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
λ (nm)
Fig. 3 Normalized Radiant Intensity vs. Forward Current
T A – AMBIENT TEMPERTURE ( ° C)
Fig. 4 Normalized Radient Intensity vs. Ambient Temperature
1.4
Normalized to:
I F = 100mA Pulsed
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
T A = 25 ° C
1.2
1.0
Normalized to:
I F = 20mA Pulsed
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
T A = 25 ° C
0.8
1
0.6
0.4
0.2
0.1
10
100
1000
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3.5
I F – FORWARD CURRENT (mA)
Fig. 5 Forward Voltage vs. Forward Current
1.55
T A – AMBIENT TEMPERTURE ( ° C)
Fig. 6 Forward Voltage vs. Ambient Temperature
3.0
I F Pulsed
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
T A = 25 ° C
1.50
I F = 20mA Pulsed
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
1.45
2.5
1.40
2.0
1.35
1.5
1.30
1.0
10
100
1000
1.25
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I F – FORWARD CURRENT (mA)
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
QEE113 Rev. 1.0.1
3
T A – AMBIENT TEMPERTURE ( ° C)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QEE123E3R0 | LED IR ALGAAS SIDELOOK 880NM |
| QEE273 | LED EMITTER IR SIDELOOKER |
| QFM-TRX1-24G | TRANSCEIVER MOD RF 2.4GHZ 3.6V |
| QHX220IQSR | IC RF NOISE CANCELLING 16QFN |
| QRD1113 | SENSR OPTO TRANS 1.27MM REFL PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QEE113 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IR Emitting Diode |
| QEE113 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:IR EMITTER 940NM |
| QEE113_Q | 功能描述:红外发射源 0.015mW 1.5V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEE113E3R0 | 功能描述:红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEE122 | 功能描述:红外发射源 INFRARED DIODE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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