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参数资料
| 型号： | QEE273 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED EMITTER IR SIDELOOKER |
| 标准包装： | 500 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 27mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 850nm |
| 正向电压： | 1.8V |
| 视角： | 30° |
| 方向： | 侧视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 包装： | 散装 |
Typical Performance Curves
1.0
Fig. 1 Normalized Intensity vs. Wavelength
875
Fig. 2 Peak Wavelength vs. Ambient Temperature
0.9
870
I F = 20mA DC
0.8
965
0.7
0.6
0.5
0.4
960
855
850
0.3
845
0.2
0.1
840
0.0
700
750
800
850
900
950
1,000
1,050
835
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
λ (nm)
Fig. 3 Relative Power vs. Forward Current
T A – AMBIENT TEMPERTURE ( ° C)
Fig. 4 Relative Power vs. Ambient Temperature
12
10
8
6
4
2
Normalized to:
I F = 100mA Pulsed
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
T A = 25 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Normalized to:
I F = 20mA Pulsed
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
T A = 25 ° C
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100
0.0
-15
0
15
30
45
60
75
90
105
I F – FORWARD CURRENT (mA)
Fig. 5 Forward Voltage vs. Ambient Temperature
T A – AMBIENT TEMPERTURE ( ° C)
2.5
I F = 20mA Pulsed
100 °
80 °
2.0
t PW = 20ms
Duty Cycle = 4%
120 °
Fig. 6 Radiation Diagram
90 °
110 ° 70 °
60 °
1.5
140 °
130 °
50 °
40 °
1.0
0.5
150 °
160 °
170 °
30 °
20 °
10 °
0
-15
0
15
30
45
60
75
90
105
180 °
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 °
1.0
T A – AMBIENT TEMPERTURE ( ° C)
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
QEE273 Rev. 1.0.0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QEE323 | 功能描述:红外发射源 LED FOR QRD SWT RECT PKG RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEF8-020-05.0-L-D | 制造商:Samtec Inc 功能描述:.8MM Q-RATE SOCKET ASSEMBLY - Bulk |
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