参数资料
型号: QRE1113GR
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/8页
文件大小: 0K
描述: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
产品目录绘图: QRE1113 Series
QRE Series Schematic
标准包装: 1
检测距离: 0.197"(5mm)
检测方法: 反射
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
输出类型: 光电晶体管
响应时间: 20µs,20µs
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-SMD
包装: 标准包装
工作温度: -40°C ~ 85°C
产品目录页面: 2777 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: QRE1113GRDKR
August 2011
QRE1113, QRE1113GR
Minature Re?ective Object Sensor
Features
■ Phototransistor output
■ No contact surface sensing
■ Miniature package
■ Lead form style: Gull Wing
QRE1113GR Package Dimensions
2.90
■ Two leadform options: Through hole (QRE1113)
SMT gullwing (QRE1113GR)
■ Two packaging options: Tube (QRE1113)
Tape and reel (QRE1113GR)
2.50
4
1.00
3
0.60
0.40
0.94
1.80
1
CL
CL
2
0.94
3.60
3.20
30 °
0.40
1.70 0.120
1.50
1.10
0.90
4.80
4.40
Notes:
1. Dimensions for all drawings are in millimeters.
2. Tolerance of ±0.15mm on all non-nominal dimensions
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QRE1113, QRE1113GR Rev. 1.7.1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
QRM85BXXG02E LED PMI REAR MOUNT GREEN
QS5K2TR MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
QS5U12TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
QS5U13TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
QS5U16TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
相关代理商/技术参数
参数描述
QRE1113GR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Reflective Object Sensor
QRE1113GR_Q 功能描述:光学开关(反射型,光电晶体管输出) Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel
QRE1113GR-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:QRE1113 Series 30 V 50 mA Miniature Reflective Object Sensor - SMD-4
QRE1230R30 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Super Fast Recovery Diode Modules 210 Amperes/1200 Volts
QRE1240R30 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Super Fast Recovery Diode Modules 280 Amperes/1200 Volts